AI 수요 폭증에 내년 글로벌 메모리 시장 ‘강한 회복’ 전망

HBM4·초고성능 D램 경쟁 본격화

시장조사업체 테크인사이츠가 2026 메모리 전망 보고서에서 내년 글로벌 메모리 시장이 강한 성장세를 보일 것으로 전망했다. /테크인사이츠 제공

내년 글로벌 메모리 시장이 인공지능(AI) 확산과 공급 제한 속에서 강한 성장세를 보일 전망이다. 시장조사업체 테크인사이츠는 29일 발표한 ‘2026 메모리 전망’ 보고서에서 “AI가 데이터센터와 엣지(Edge) 장치 전반으로 확대되면서 초고속·저전력 메모리 수요가 본격화되고 있다”고 분석했다.

보고서에 따르면 D램은 10나노급 이하 공정 확장(D1c·D1-감마)과 고대역폭 메모리(HBM)의 주도권 경쟁이 내년 시장 흐름을 좌우할 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체는 6F²·4F² 셀 구조, 3D D램, IGZO(산화물) 채널 등 신기술 도입으로 속도와 에너지 효율 개선에 속도를 내고 있다.

특히 차세대 제품인 HBM4는 AI 학습·추론용 가속기 시장에서 핵심 역할을 하며, 16단(16Hi) 적층 구조와 LPW D램, SoC 패키징 통합 기술 등이 내년부터 상용화될 것으로 예상된다. 또 키오시아(KIOXIA)와 샌디스크가 추진 중인 ‘HBF(High-Bandwidth Flash)’는 엣지 AI 장치에서 HBM을 대체할 수 있는 후보 기술로 꼽힌다.

낸드플래시 역시 고단화 경쟁이 이어진다. 삼성전자·마이크론·YTMC는 올해 200단대 제품을 출시했으며, SK하이닉스의 300단대 제품도 출시를 앞두고 있다. 1000단 이상 낸드 구현도 ‘계단 없는 WLC 구조’와 하이브리드 본딩 등 신공정 혁신이 쟁점으로 부상했다.

공급 측면에서는 미국의 대중(對中) 수출 규제가 내년에도 유지될 전망이다. 이에 따라 YMTC·CXMT 등 중국 업체들은 공정 국산화와 독자 기술 확보에 속도를 내고 있다.

다만 소비자용 PC·스마트폰 메모리 수요 둔화, DDR4·범용 낸드 공급 부족 등은 단기 제약 요인으로 지목됐다.

테크인사이츠는 “2026년은 AI와 데이터 중심 경제 전환에 대응하기 위한 메모리 기술 혁신의 분기점이 될 것”이라며 “성능·전력효율·확장성이 기업 경쟁력을 좌우하는 핵심 변수가 될 것”이라고 덧붙였다.

한편 테크인사이츠는 반도체·자동차·모바일 산업 전문 분석 플랫폼으로 글로벌 제조·설계기업에 시장 인사이트를 제공하고 있다.

/김진홍경제에디터 [e-mail]