삼성전자는 17일 경기도 화성캠퍼스(반도체사업장)에서 이건희 회장이 참석한 가운데 비공개로 메모리반도체 16라인 기공식을 한 뒤 반도체 11조원, LCD 5조원 등 시설에 16조원과 R&D에 8조원 등 총 26조원 규모의 올해 투자계획을 발표했다. 이 같은 투자는 삼성전자의 연간 투자 규모로는 사상 최대 수준이다.
이 회장은 “현재 세계경제가 불확실하고 경영여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 그룹에도 성장의 기회가 오고 우리 경제도 성장하게 될 것”이라며 과감한 투자확대를 강조했다고 삼성 측은 전했다.
삼성전자는 글로벌 IT(정보기술) 시장의 주도권과 성장동력을 확보하기 위해 반도체 15,16라인과 LCD 8세대 등의 증설 및 신규라인 투자에 집중해 메모리 반도체 분야의 리더십을 확고히 할 계획이다.
삼성전자는 이번 신규라인 투자 등을 통해 올해 반도체 부문에서 3천명, LCD에서 4천명을 포함해 총 1만명 이상의 신규 고용을 창출할 방침이다. 삼성전자는 이번 투자 결정에 따라 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규 라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 증설을 위해 메모리 반도체 부문의 투자를 애초 계획한 5조5천억원에서 9조원대로 늘리기로 했다.
또 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어서는 16라인을 2011년부터 본격적으로 가동해 12인치 웨이퍼로 월 20만장 이상 생산할 예정이다.
/연합뉴스
